System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) - PR1153448-2480-P

1 Stück System for High Apect Ratio Etch consisting of mainframe and process chambers (IPMS-CNT05.1) Die Spezifikation beschreibt die Anforderungen an ein vollautomatisches Prozessgerät, das für Plasmaätzprozesse auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm eingesetzt werden soll. Die Systeme werden für die Bearbeitung von Silizium-CMOS-Wafern in einer Produktionsumgebung der Reinraumklasse 1000 (entspricht in etwa Klasse 6 nach EN ISO 14644-1) eingesetzt. Das neue Werkzeug soll zur Strukturierung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Silizium sowie in allen damit verbundenen erforderlichen Materialien (z. B. SiO₂, SiN) eingesetzt werden, um dieses Hauptziel zu erreichen. Optionale Positionen gemäß Technical Tender Specification.