CMP-System für 100/150‑mm‑Wafer (IAF-03) - PR1199438-2050-P

1 CMP-System zur chemisch-mechanischen Politur dielektrischer Schichten wie Siliziumoxid auf 100‑mm- und 150‑mm-Si- und III-V-Halbleiterwafern mit integrierter Reinigung und optischer Endpunkterkennung. Ziel des Polierens ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächenrauheit, um ein anschließendes Wafer-Fusionsbonden von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern zu ermöglichen. Option 1: Separate drainage lines for DI water and chemicals Option 2: SECS/GEM interface Option 3: Torque EPD